![](/media/lib/229/n-dzurak-ed6aaf07bd646e79509b5f92956234c2.jpg)
Kwantowa bramka logiczna na krzemie
6 października 2015, 10:18Na australijskim Uniwersytecie Nowej Południowej Walii (UNSW) powstała pierwsza kwantowa bramka logiczna zbudowana na krzemie. O sukcesie inżynierów poinformowano na łamach Nature.
![](/media/lib/108/n-grafenmolekularny-ff7861b2273f02f22f6ea281476a81e3.jpg)
Pracują nad nadprzewodzącym grafenem
17 września 2015, 11:12International Technology Roadmap for Semiconductors uznała grafen za materiał, który zastąpi krzem. Zdaniem specjalistów koniec epoki krzemu i początek ery grafenu nastąpi około 2028 roku. Teraz grupa naukowców z University of British Columbia zapewnia, że grafen nie tylko zastąpi krzem, ale będzie też świetnym nadprzewodnikiem.
![](/media/lib/108/n-grafenmolekularny-ff7861b2273f02f22f6ea281476a81e3.jpg)
Grafenowy nadprzewodnik
2 września 2015, 12:58Grafen to bardzo dobry przewodnik, a eksperci na całym świecie starają się, by zachowywał się też jak półprzewodnik i zastąpił krzem w elektronice przyszłości. Teraz naukowcy z Kanady i Niemiec dowiedli, że domieszkowanie grafenu litem powoduje, że staje się on nadprzewodnikiem.
![](/media/lib/98/n-graphene_sheet-2e777814dd3dd429a2059be1120d4835.jpg)
Huśtawka emocji – sukcesy i rozczarowania związane z grafenem
16 sierpnia 2015, 10:43Grafen to materiał, z którym naukowcy wiążą ogromne nadzieje. Dzięki jego dwuwymiarowej strukturze wykazuje on właściwości pozwalające w teorii ominąć w wielu dziedzinach bariery narzucone przez dotychczas stosowane tam materiały. Niestety, grafen ma też swoje wady, w znaczący sposób utrudniające jego masowe wykorzystanie.
![](/media/lib/225/n-mit-nanoparticles-for-batteries_0-e00e88ac05346b9b5f9f7ae45be013fb.jpg)
Nowatorski akumulator
7 sierpnia 2015, 09:31Kluczowym elementem nowej koncepcji jest zastosowanie glinu w anodzie. Nanocząstki są w nim zanurzone i to on zmienia rozmiar. Obudowa zaś została stworzona z ditlenku tytanu. Taka konstrukcja to zdecydowane odejście od dzisiejszych koncepcji
![](/media/lib/224/n-zasilaczcei-d8e034328be46daa4cc352874e9e6b3f.jpg)
Nadchodzi azotek galu
29 lipca 2015, 12:23Nie grafen czy molibdenit, ale azotek galu (GaN) będzie prawdopodobnie tym materiałem, który w najbliższym czasie zastąpi krzem w roli podstawowego półprzewodnika. W 2013 roku amerykański Departament Energii przeznaczył niemal 70 milionów dolarów na badania nad GaN. Urzędnicy z DoE uzasadniali swoją decyzję tym, że wykorzystanie tego materiału może pomóc w zredukowaniu zapotrzebowania na energię
![](/media/lib/100/n-zwitek-banknotow-ea56596110c0c55a490ec58008d3f7da.jpg)
Nadchodzi azotek galu
11 maja 2015, 12:46Kalifornijska firma Efficient Power Conversion jest pierwszą, która zaoferowała tranzystory mocy wykonane z azotku galu w cenie niższej niż tranzystory z krzemu. To pierwszy przypadek, gdy urządzenie ma wysoką wydajność i jest tańsze niż jego krzemowy odpowiednik. Azotek galu przejął pałeczkę - mówi Alex Lidow, prezes firmy.
![](/media/lib/103/n-produkcja-10158b7afdc2f4e4e2bb2c443165656e.jpg)
Mroczny krzem coraz poważniejszym problemem
6 lutego 2015, 12:20Przemysł półprzewodnikowy stoi przed coraz poważniejszymi wyzwaniami. Wielu z nas słyszało o tym, że kończy się era krzemu i nie mamy czym tego materiału zastąpić. Niewielu jednak wie, że już teraz odczuwamy negatywne skutki ciągłej miniaturyzacji, a ujawniają się one m.in. w postaci tzw. mrocznego krzemu (dark silicon).
![](/media/lib/94/n-sandybridge_wafer_angle2-b9cc259a19102ab12752484c8df54084.jpg)
Współpraca przy nanostemplowaniu
6 lutego 2015, 09:23Toshiba i SK Hynix podpisały umowę o współpracy przy rozwijaniu technik litografii wykorzystujących proces nanostemplowania (NIL – nano imprint litography). Inżynierowie obu przedsiębiorstw będą wspólnie od kwietnia bieżącego roku pracowali w laboratoriach Toshiby w Yokohama Complex
![](/media/lib/210/n-german-71a026a31be25f9937ce42ad33aa279a.jpg)
German zamiast krzemu
11 grudnia 2014, 11:47Purdue University ma na swoim koncie ważne osiągnięcie w historii rozwoju półprzewodników. To właśnie naukowcy z tej uczelni dostarczyli w 1947 roku bardzo ważny element pierwszego tranzystora – półprzewodnik z oczyszczonego germanu. Teraz specjaliści z tej samej uczelni stworzyli pierwszy układ elektroniczny (CMOS), w którym krzem zastąpiono germanem.